
烧制过程不同。反应烧结是在较低的温度下,使游离硅渗透到碳化硅中。而无压烧结是在2100度下,自然收缩而成的碳化硅制品。烧结的产品技术参数不同。反应的体积密度、硬度、抗压强度等与无压的碳化硅产品技术参数不同。产品性能不同。反应烧结制品和无压制品在不同的酸碱度、温度等情况下,使用的时间不同。

烧制过程不同。反应烧结是在较低的温度下,使游离硅渗透到碳化硅中。而无压烧结是在2100度下,自然收缩而成的碳化硅制品。烧结的产品技术参数不同。反应的体积密度、硬度、抗压强度等与无压的碳化硅产品技术参数不同。产品性能不同。反应烧结制品和无压制品在不同的酸碱度、温度等情况下,使用的时间不同。